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珠海：重點發展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半導體襯底材料及外延片
來源：證券時報網2025-01-07 09:46

證券時報e公司訊，珠海市工業和信息化局公開征求 《珠海市電子化學品產業發展三年行動方案（2025—2027年）（征求意見稿）》 意見。其中提到，重點發展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化鎵、磷化銦等新一代化合物半導體襯底材料及外延片；前瞻布局氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等第四代半導體材料。同時，重點發展勻膠鉻版光掩模版，KrF、ArF移項光掩模版，前瞻布局深紫外光（DUV）掩膜版。

責任編輯： 賴小風
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