1月22日晚,國內IDM龍頭士蘭微(600460)發布業績預告,公司預計2024年度實現歸母凈利潤為1.5億元到1.9億元,與上年同期相比,將實現扭虧為盈;預計扣非凈利潤為1.84億元到2.24億元,與上年同期相比,將增加1.25億元到1.65億元,同比增加212.39%到280.31%。
士蘭微是國內少有的IDM(設計與制造一體)半導體企業,面對市場競爭加劇的壓力,公司通過持續推出富有競爭力的產品,持續加大對大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度,加快產品結構調整的步伐,且取得積極成效。2024年全年,公司電路和器件成品的銷售收入中,已有超過75%的收入來自大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場。
業績預告顯示,報告期內,士蘭微在電源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅MOSFET器件、超結MOSFET器件、MEMS傳感器、MCU電路、SOC電路、快恢復管、TVS管、穩壓管等產品出貨量增長的帶動下,公司總體營收保持了較快的增長勢頭。
產能利用率方面,從集成電路,到分立器件產品,士蘭微旗下的子公司、參股公司,均呈現出喜人的態勢。
其中,集成電路方面,2024年,士蘭微子公司士蘭集成5、6吋芯片生產線、子公司士蘭集昕8吋芯片生產線、重要參股企業士蘭集科12吋芯片生產線均實現滿負荷生產。分立器件方面,公司子公司成都士蘭、成都集佳功率模塊和功率器件封裝生產線實現了滿負荷生產,公司根據市場需求已安排了多輪產能擴充項目。
在此背景之下,士蘭微安排技改資金,進一步提升8吋線MEMS芯片產能、12吋線IGBT芯片和模擬電路芯片產能。同時,公司還預計,2025年5、6、8、12吋芯片生產線,將繼續保持較高的產出水平。
報告期內,士蘭微已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵SiCMOSFET芯片的開發,性能指標,達到業內同類器件結構的先進水平。同時,基于公司Ⅱ代SiCMOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊,已實現向下游汽車用戶批量供貨;基于公司Ⅳ代SiCMOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊,已在客戶端驗證,預計2025年實現批量供貨。
另外,士蘭微在廈門加快建設一條以SiCMOSFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線,項目一期投資規模70億元,規劃產能3.5萬片/月,預計2025年年底實現初步通線。
在積極擴大芯片生產線和封裝生產線產出能力的同時,士蘭微還持續開展了各主要環節成本費用控制、管理效率提升等活動,且已取得了積極成效。2024年四季度,公司產品綜合毛利率較三季度已有所回升。隨著上述活動的持續深入進行,公司預計2025年產品綜合毛利率水平將進一步改善。
士蘭微表示,當前,在國家政策持續支持,以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業快速發展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下,士蘭微電子迎來了較快發展的新階段。士蘭微電子將持續推動滿足車規級和工業級要求的器件和電路在各生產線上量,持續推動士蘭微整體營收的較快成長和經營效益的提升。